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資料

光通量提高至約1.4倍的光子晶體GaN類LED

上傳人:大久保聰

上傳時間: 2008-10-04

瀏覽次數(shù): 152

  在整個LED表面上,以1000nm間距設置了直徑800nm、深750nm的小孔,形成了光子晶體結(jié)構(gòu)。順向電流為20mA,施加+3.8V電壓時的光通量為1.41lm。而不采用光子晶體結(jié)構(gòu)時,施加相同的電壓時光通量僅為0.99lm。LED的芯片尺寸為寬0.35mm×長0.7mm×厚0.1mm。其中光子結(jié)晶部分的尺寸為0.2mm×0.2mm。

  不采用光子晶體結(jié)構(gòu)時的發(fā)光波長為520.5nm,通過采用該結(jié)構(gòu)發(fā)光波長縮短了10nm左右。這是因為采用光子晶體結(jié)構(gòu)的LED,發(fā)光層內(nèi)出現(xiàn)了電流集中區(qū)域,受其影響發(fā)光波長向短波長方向偏移。

  此次的光子晶體結(jié)構(gòu)是對嵌入了LED結(jié)構(gòu)的4英寸(100mm)底板(底板材料為藍寶石)的表面進行電子光束照射加工而成的。加工后,從底板上切割芯片。通過優(yōu)化小孔的直徑、深度及間距,理論上可將光通量提高至2倍。

  為在09年度實現(xiàn)實用化,阿爾卑斯正在推進開發(fā)。將采購嵌有LED結(jié)構(gòu)的底板,然后在底板上嵌入光子晶體結(jié)構(gòu)。該公司打算首先加工發(fā)光效率公認較低的綠色LED,以提高亮度作為賣點推出產(chǎn)品。

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