2014年5月蘋果收購了創(chuàng)業(yè)公司LuxVue Technology，該公司的Micro LED顯示技術未來有望應用于iWatch、Google Glass、微投影儀等微顯示器件領域;

　　Micro LED技術是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級，相比于現(xiàn)有的微顯示技術如DLP、LCoS、微機電系統(tǒng)掃描等，由于Micro LED自發(fā)光，光學系統(tǒng)簡單，可以減少整體系統(tǒng)的體積、重量、成本，同時兼顧低功耗、快速反應等特性，2013年臺灣工研院基于主動式LED微晶粒晶片技術，開發(fā)出單色微顯示及微投影模組，主力應用瞄準如Google Glass等頭戴式顯示器;

　　單色Micro LED陣列已經(jīng)實現(xiàn)極高的DPI，2011年德州科技大學的團隊發(fā)布了9.6mm×7.2mm面積的綠光主動定址Micro LED陣列，像素間距15微米，實現(xiàn)了VGA解析度，遠高于目前的手機顯示屏;

　　全彩化、良率、發(fā)光波長一致性是目前主要的問題：單色Micro LED陣列通過倒裝結構封裝和驅動IC貼合就能夠實現(xiàn)，而RGB陣列需要分次轉貼紅、藍、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬顆LED 晶粒，對于LED晶粒光效、波長的一致性、良率要求更高，同時分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術瓶頸;

　　Micro LED技術是指在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED整列，如同LED顯示屏，每一個像素可定址、單獨驅動點亮，可以看成是戶外LED顯示屏的縮小版，將像素點距離從毫米級降低至微米級;

圖：Micro LED顯示結構

　　1998年德國亞琛工業(yè)大學研究團隊采用濕法腐蝕方法在AlGaInP LED外延片上成功制作多個LED之后，開啟了國際上對Micro LED陣列的研究，Micro LED作為主動發(fā)光器件，突出的優(yōu)點在于分辨潛力大、高亮度對比、低成本，利用半導體加工技術，可以將Micro LED陣列像素尺寸控制在微米量級，可以應用于微顯示器件和數(shù)據(jù)傳輸通信光源;

　　2009年香港大學研究小組制作了一種集成光纖的微型LED 陣列，在GaN LED外延片上設計了像素點直徑20微米，像素間距120微米的陣列;

　　2010年英國帝國大學研究小組將LED陣列應用于神經(jīng)網(wǎng)絡模擬刺激試驗，利用GaN LED外延制作了像素直徑20微米，像素間距50微米的64×64 LED陣列;

圖：64×64 LED神經(jīng)網(wǎng)絡陣列(來源：公開資料)