巨量轉移是Micro LED顯示屏幕技術中最大的技術瓶頸之一。業(yè)界目前正如火如荼地發(fā)展相關技術，希望能盡快突破阻礙，推動Micro LED的商業(yè)化。在此次的Micro LED前瞻技術征文比賽中，巨量轉移技術也是許多參賽文章的關注重點。

　　其中由柯全先生Thomas Q. Ke的研究論文提出無需巨量轉移的Micro LED量產方式。該論文指出，借由重新設計Micro LED的制造過程并運用現(xiàn)有技術，就能有效率避開耗時費工的巨量轉移制程。論文提出的方法是，將Micro LED保留在磊晶基板上，移除3/4的Micro LED晶圓，用PI填平開孔，再在驅動電路制作于保留下來的1/4 LED旁。透過此方法，不需要巨量轉移制程也能制作出RGB Micro LED顯示屏幕。

　　參與此次論文征集的評審指出，將驅動電路整合在Micro LED晶圓片上的技術方法，與Lumiode, eMagin, NthDegree,OSRAM等公司的技術類似。除了制程跟材料以外，此論文提出的方案跟其他技術最大的差異在于舍棄了3/4的LED晶圓材料，并由多出來的空間來換取RGB交錯排列跟驅動電路的擺放位置。

　　為了要節(jié)省巨量轉移可能造成的大量成本跟時間，此篇研究論文選擇用材料的成本交換。這樣的技術取向在巨量轉移技術尚未發(fā)產成熟前，或許能夠在量產上取得優(yōu)勢。然而，一旦巨量轉移的技術改善且成本逐漸降低，降到低于材料成本的四倍時，此方法便不再具有優(yōu)勢。

　　原文：https://p.ledinside.com/led/2018-11/1541671675_81078.pdf