襯底材料

　　LED襯底材料眾多，市場上大規(guī)模商用的LED襯底材料是GaAs、藍寶石和SiC，同時Si襯底和GaN同質襯底也成為關注熱點。

　　在GaAs領域，我國具有一定的實力，普亮紅、黃光LED中目前襯底材料基本實現了國產化，而高亮度和超高亮度紅光LED襯底材料主要依靠進口，與國際水平仍存在一定的差距。

　　藍寶石襯底材料以其生產技術成熟、器件質量好、穩(wěn)定性高、易于處理和清洗等優(yōu)點，被國內企業(yè)廣泛使用。然而，藍寶石襯底也存在一些問題，首先藍寶石襯底與GaN外延層的晶格失配和熱應力失配較大;同時，藍寶石的導熱性能不是很好，會增加大功率LED器件封裝散熱成本。

　　為了提升器件的導熱性和導電性，出現了SiC和Si襯底。SiC襯底材料的導熱性能要比藍寶石襯底高出10倍以上，同時這種襯底不需要電流擴散層，因此光不會被電流擴散層的材料吸收，有利于提高芯片的出光效率，但其制造成本非常高，產品價格差不多是同尺寸藍寶石襯底的10倍。Si襯底材料質量高、尺寸大、材料成本低、加工工藝成熟，并具備良好的導電性、導熱性和熱穩(wěn)定性等，但Si與GaN之間存在巨大的晶格失配度和熱失配，同時Si對可見光吸收嚴重，LED出光效率低。

　　近兩年，我國在Si襯底上生長GaN外延技術進展很快，尤其是在6英寸、8英寸等大尺寸Si襯底上生長GaN外延，可大幅降低LED芯片制造成本。目前看來Si襯底技術有望實現大規(guī)模商用。

　　此外AlN、ZnO等材料也可作為襯底，目前還處于實驗室研究階段。

　　我國用于制備紅、黃光LED的GaAs/AlGaInP/InP/GaP四元系襯底材料制備技術發(fā)展較為成熟，與國際水平差距較小。在GaAs襯底領域，中科鎵英、中科晶電、國瑞電子、上海中科嘉浦、中國電子科技集團第46研究所等企業(yè)均已實現上述產品的量產，特別是中科鎵英和中科晶電憑借突出的產品性價比，在國內GaAs襯底領域占有絕大部分市場份額。

　　我國相關企業(yè)應用于藍、白光LED生長的藍寶石襯底、SiC襯底和GaN襯底材料的性能指標和成品率仍然較低，材料生長專業(yè)人才也較為缺乏。但受市場和政策利好驅動，已有多家企業(yè)開始介入或宣布介入寬帶隙襯底領域，逐步擴大資金投入和相關關鍵技術引進。

　　在藍寶石襯底材料領域，我國代表企業(yè)有元亮科技、同人電子、協(xié)鑫光電、上城科技、吉星新材料、普吉光電、水晶光電、云南藍晶、重慶四聯光電、成都東駿、貴州皓天、九江賽翡、中鎵半導體、哈工大奧瑞德、安徽康藍光電、青島嘉星晶電、山東天岳、山東元鴻等。

　　在SiC襯底領域，美國Cree幾乎壟斷了優(yōu)質SiC襯底的全球供應，其次是德國SiCrystal、日本新日鐵和日本東纖-道康寧公司，我國企業(yè)實力較弱。

　　外延材料

　　外延是LED器件核心環(huán)節(jié)，外延材料是由多層不同組分的材料構成，要求單層厚度一致，化學組分分布均勻，這對外延過程控制及設備提出了非常高的要求。外延生長過程中所涉及到的溫度場、氣流控制直接影響所LED芯片中局部成分和厚度的均一性，目前最為常用的方法還是MOCVD方法。由于這一環(huán)節(jié)對資金、技術、人才有很高的要求，進入門檻較高。

　　目前，我國與國際廠商相比，在外延材料生長技術方面和經驗方面，無論是大功率產品還是小功率產品在發(fā)光效率上都存在一定的差距。從材料上看，在高亮度和超高亮度產品中，由于AlGaInP外延技術要求較低，目前國內從事這類外延生產的企業(yè)數量較多，產量較高。作為藍光LED的主要材料GaN，在巨大的照明市場潛力拉動下，其外延片產量不斷提高，且增速明顯高于AlGaInP外延產品。

　　而作為外延材料生產的核心MOCVD設備領域，目前全球主要的生產廠商為德國的Aixtron公司(約占60%-70%市場份額)和美國的Vecco公司(約占30%-40%市場份額)。其他MOCVD廠家主要包括日本的NIPPON Sanso和Nissin Electric等。我國MOCVD設備則基本依靠進口。

　　截止2013年年底，中國共有約1017臺MOCVD，在生產與完成調試的MOCVD數量接近六成，其中85%為GaN系MOCVD。在技術和生產工藝方面，國內和國外的差距較大，特別是在前景較好的四元系和GaN系方面，國內生產的MOCVD設備還達不到產業(yè)化的要求，基本上依賴進口。

　　2012年，中科院半導體研究所負責研發(fā)的國內首臺48片2英寸MOCVD工程化樣機各項性能指標均達到了同類國際MOCVD設備產品的水平，意味著一直制約我國LED產業(yè)發(fā)展的MOCVD設備技術水平取得了重大突破。