“InGaN的確是一種奇跡般的材料。沒(méi)有這種材料，就無(wú)法實(shí)現(xiàn)高亮度藍(lán)色LED。”

　　因開(kāi)發(fā)藍(lán)色LED而獲得2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)的美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校(UCSB)教授中村修二，在2015年7月24日于東京舉行的研討會(huì)“GaN掀起能源革命”上發(fā)表演講，說(shuō)出了上面那句話(huà)。中村強(qiáng)調(diào)，通過(guò)在發(fā)光層采用InGaN(氮化銦鎵)的“雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造”，才實(shí)現(xiàn)了達(dá)到實(shí)用水平亮度的藍(lán)色LED。

　　中村介紹稱(chēng)，在利用InGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造來(lái)提高藍(lán)色LED的亮度之前，藍(lán)色LED必須將GaN晶體內(nèi)被稱(chēng)作“位錯(cuò)”的晶體缺陷的密度減少至103個(gè)/cm2的程度才能提高亮度。而采用InGaN雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造之后，位錯(cuò)密度即便高達(dá)109個(gè)/cm2的程度，也能高亮度發(fā)光。InGaN的這一特性對(duì)于實(shí)現(xiàn)藍(lán)色LED，以及之后的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器、藍(lán)色半導(dǎo)體激光器都作出了貢獻(xiàn)，因此中村將其評(píng)價(jià)為“奇跡般的材料”。

　　關(guān)于InGaN在晶體缺陷較多時(shí)也能高亮度發(fā)光的原因，中村稱(chēng)“與In的局域效應(yīng)有關(guān)”，并提到了日本東北大學(xué)教授秩父重英(發(fā)布研究成果時(shí)任職于筑波大學(xué))的研究成果。

　　中村指出，雖然InGaN在高亮度藍(lán)色LED的實(shí)現(xiàn)中起到了重要作用，但很少有報(bào)道宣傳這種材料的重要性。中村還對(duì)日本媒體報(bào)道2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)消息時(shí)的表述方式提出了質(zhì)疑，他說(shuō)，“不僅是日本的電視及報(bào)紙等媒體，就連日本的學(xué)術(shù)雜志及專(zhuān)業(yè)雜志也都說(shuō)是‘赤崎和天野開(kāi)發(fā)出了藍(lán)色LED，中村成功實(shí)現(xiàn)了藍(lán)色LED的量產(chǎn)化’。在諾貝爾基金會(huì)的發(fā)布資料中，并沒(méi)有這樣的內(nèi)容，我并非只是做了量產(chǎn)化方面的工作。報(bào)道有失偏頗，令人非常遺憾”。