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臺(tái)積電讓大家感到驚奇的7件事

2010-04-19 作者:未知 來源:semi 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 臺(tái)積電爆出新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。Morris張的回歸,讓臺(tái)積電又回到了使它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手感到”煩惱的時(shí)代”。

  其它的驚奇

  4.TSV, 推遲?隨著芯片尺寸縮小越來越困難,顯然另一種變通方法3D三維集成的硅通孔技術(shù)將引起業(yè)界注意。在今年的會(huì)上對(duì)于TSV技術(shù)有點(diǎn)低調(diào), 并沒有給出一個(gè)技術(shù)進(jìn)步的時(shí)間表或者真正進(jìn)展的有關(guān)報(bào)告。臺(tái)積電的副總裁兼研發(fā)部領(lǐng)導(dǎo)蔣尚義也坦言TSV尚處于啟步階段。

  臺(tái)積電認(rèn)為對(duì)于TSV, 成本與技術(shù)的復(fù)雜性仍是問題,因此可能會(huì)推遲進(jìn)度。

  5.在代工領(lǐng)域中臺(tái)積電處于領(lǐng)先地位, 臺(tái)積電將從28nm直接躍入20nm, 而跳過22nm半接點(diǎn)。

  20nm之后會(huì)是什么?蔣相信在去年臺(tái)積電利用CMOS平面工藝是20nm, 從硅結(jié)構(gòu)看, 臺(tái)積電支持下一代的FinFET。近多年來臺(tái)積電一直在關(guān)注雙柵晶體管的FinFET。令人驚奇的是在今年會(huì)上臺(tái)積電己經(jīng)作出決定, 而其它芯片制造商都在開發(fā)多柵結(jié)構(gòu)。

  6.臺(tái)積電在三月時(shí)破土建LED廠, 并舉行研發(fā)中心及LED芯片廠的開幕典禮.此舉表征臺(tái)積電正從硅片代工向其它領(lǐng)域過渡, 實(shí)際上它是生產(chǎn)LED, 不是代工行為, 而是在臺(tái)積電品牌下的制造。但是堅(jiān)持不會(huì)與客戶有競(jìng)爭(zhēng)。

  7.臺(tái)積電同樣不會(huì)放棄太陽(yáng)能,如同LED一樣,臺(tái)積電也會(huì)依自己的品牌做光伏模塊, 而不是進(jìn)行太陽(yáng)能代工。雖然具體詳情不知,臺(tái)積電非常有可能會(huì)直接躍入建太陽(yáng)能電站業(yè)務(wù)。(編輯:FJ)

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