比利時采用硅基氮化鎵開發(fā)大功率白光LED
2009-08-13
作者：未知
來源：中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)
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摘要： 日前，比利時研究中心(IMEC)推出一項聯(lián)合開發(fā)計劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開發(fā)高效率、大功率白光LED，致力于推動氮化鎵技術(shù)的發(fā)展，包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。
日前，比利時研究中心(IMEC)推出一項聯(lián)合開發(fā)計劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開發(fā)高效率、大功率白光LED，致力于推動氮化鎵技術(shù)的發(fā)展，包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。
IMEC GaN項目總監(jiān)Marianne Germain表示，采用大直徑的硅芯片(尺寸從100mm到150mm，再增至200mm)與CMOS兼容程序相結(jié)合，可創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)上可行的解決方案。（編輯：PCL）
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