由南昌大學(xué)承擔(dān)的863計劃新材料領(lǐng)域課題“硅基鎵氮固態(tài)光源關(guān)鍵技術(shù)研究”日前通過了驗收。該課題在第一代半導(dǎo)體材料硅襯底上研制成功第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵基藍色發(fā)光二極管，處于國際領(lǐng)先地位，并在全球率先實現(xiàn)了小批量生產(chǎn)。

　　目前市場上出售的氮化鎵發(fā)光二極管都是以藍寶石或碳化硅作為襯底，其基本專利分別為日美發(fā)達國家所壟斷。以硅作為襯底生長氮化鎵發(fā)光材料是業(yè)界的夢想，但因為存在諸多難以克服的困難，全球許多研發(fā)機構(gòu)無功而返。南昌大學(xué)教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心在863計劃的支持下，成功地解決了國際上存在的硅襯底氮化鎵發(fā)光材料龜裂、發(fā)光二極管亮度低、工作電壓高、可靠性差等問題，研制的硅襯底氮化鎵發(fā)光二極管材料的質(zhì)量和器件性能均處于國際同類材料與器件中的領(lǐng)先水平，生產(chǎn)的硅襯底藍光LED 6-9毫瓦，達到了市場上藍寶石或碳化硅襯底GaN藍光LED中等水平，其中電學(xué)性能和可靠性可以和世界頂尖級藍寶石或碳化硅襯底GaN發(fā)光器件媲美。目前產(chǎn)能達到了40萬只/天，在制造成本、可靠性等方面具有明顯優(yōu)勢。此產(chǎn)品的研制成功，改變了日美等發(fā)達國家壟斷LED核心技術(shù)的局面，走出了一條有我國特色的LED發(fā)展之路。（編輯;ZQY）