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東光微電獲一項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利 提升核心競(jìng)爭(zhēng)力

公告日期:2013/1/16          


東光微電(002504)周三午間公告稱(chēng),公司近日收到國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的一項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利證書(shū),專(zhuān)利名稱(chēng)為“集成ESD保護(hù)的功率MOSFET或IGBT及制備方法”,專(zhuān)利期限20年。

公司表示,專(zhuān)利的取得不會(huì)對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大影響,但有利于公司產(chǎn)品升級(jí)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù),提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。






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